CS8473 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS8473
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.8 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4.8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Tiempo de subida (tr): 25 nS
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO18

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS8473

CS8473 Datasheet (PDF)

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cs8473.pdf

LJ2015-28CS8473 P T =25 2.8AP WDT =70 1.2AT =25 -4.8AI ADT =70 -3.6AI -10 ADMV 20 VGST +150 jmT -55 +150 stgR 120 /WthJaBV V =0V,I =-0.25mA -60 VDSS GS DV =-10V,I

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: