CS9532 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS9532

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 76 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO-257

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CS9532 datasheet

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CS9532

CS9532 P PD TC=25 76 W 0.6 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -10 A IDM -40 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.67 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on VGS=-10V,ID=-6.5A 0.30 0.40 VGS th VDS=VGS,ID=-0.25m

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CS9532

CS9530 P PD TC=25 75 W 0.6 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -12 A ID VGS=-10V,TC=100 -7.5 A IDM -48 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.67 /W RthJA 80 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on VGS=-10V,ID=

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