CSE110 Todos los transistores

 

CSE110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSE110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257
     - Selección de transistores por parámetros

 

CSE110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  china
 cse110.pdf pdf_icon

CSE110

CSE110 N PD TC=25 15 W 0.09 W/ VGS=10V,TC=25 3.5 ID A VGS=10V,TC=100 2.25 IDM 14 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 8.3 /W BVDSS VGS=0V,ID=1.0mA 100 V VGS=10V,ID=2.25A 0.6 RDS on

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CS7233 | 2SK3417B | DMN4010LFG | NTTFS5C466NL | CEDM8001VL | IRFS254 | MMIS70H900QTH

 

 
Back to Top

 


 
.