CSE110 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSE110

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO-257

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CSE110 datasheet

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CSE110

CSE110 N PD TC=25 15 W 0.09 W/ VGS=10V,TC=25 3.5 ID A VGS=10V,TC=100 2.25 IDM 14 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 8.3 /W BVDSS VGS=0V,ID=1.0mA 100 V VGS=10V,ID=2.25A 0.6 RDS on

Otros transistores... CS9620, CS9640, CS9945BEY, CS9N90ANHD, CS9N90FA9D, CSB4110, CSB4710, CSBF30, 18N50, CSE130, CSE220, CSE230, CSE9130, CSE9210, CSF230, CSF9024, CSI460