CSD16415Q5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CSD16415Q5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3.2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 25 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 16 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 38 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.9 V
   Carga de la puerta (Qg): 21 nC
   Tiempo de subida (tr): 30 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2530 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SON5X6 SUPERSO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CSD16415Q5

CSD16415Q5 Datasheet (PDF)

..1. Size:942K texas
csd16415q5.pdf

Sample & Support & ReferenceProduct Technical Tools &Buy Community DesignFolder Documents SoftwareCSD16415Q5SLPS259A DECEMBER 2011 REVISED SEPTEMBER 2015CSD16415Q5 25-V N-Channel NexFET Power MOSFETAdded text for spacing1 Features1 Ultralow Qg and QgdProduct Summary Very Low On-ResistanceTA = 25C VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-Sou

7.1. Size:542K texas
csd16411q3.pdf

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD16411Q3SLPS206B AUGUST 2009 REVISED NOVEMBER 2016CSD16411Q3 25-V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low-Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 25 V Avalanche RatedQg Gate Charge Total (4

7.2. Size:514K ciclon
csd16413q5a.pdf

N-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs CSD16413Q5A Features Product Summary Ultra Low Qg & Qgd VDS 25 V DS 1 8 DS 1 8 D Qg 9.0 nC Low Thermal Resistance DS 2 7 DG S 2 7 D Qgd 2.5 nC D Avalanche Rated S DS 3 6 DS 3 6 D VGS=4.5V 4.1 m S RDS(on) DDG 4 5 DG 4 5 DVGS=10V 3.1 m Pb Free Terminal Plating S Vth 1.6 V RoHS Complian

7.3. Size:515K ciclon
csd16410q5a.pdf

N-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs CSD16410Q5A Features Product Summary Ultra Low Qg & Qgd VDS 25 V DS 1 8 DS 1 8 D Qg 3.9 nC Low Thermal Resistance DS 2 7 DG S 2 7 D Qgd 1.1 nC D Avalanche Rated S DS 3 6 DS 3 6 D VGS=4.5V 9.6 m S RDS(on) DDG 4 5 DG 4 5 DVGS=10V 6.8 m Pb Free Terminal Plating S Vth 1.9 V RoHS Complian

7.4. Size:514K ciclon
csd16412q5a.pdf

N-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs CSD16412Q5A Features Product Summary Ultra Low Qg & Qgd VDS 25 V DS 1 8 DS 1 8 D Qg 2.9 nC Low Thermal Resistance DS 2 7 DG S 2 7 D Qgd 0.7 nC D Avalanche Rated S DS 3 6 DS 3 6 D VGS=4.5V 13 m S RDS(on) DDG 4 5 DG 4 5 DVGS=10V 9 m Pb Free Terminal Plating S Vth 2.0 V RoHS Compliant

7.5. Size:352K ciclon
csd16411q3.pdf

N-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs CSD16411Q3 Product Summary Features Ultra Low Qg & Qgd VDS 25 VS 1 8 DS 1 8 D Qg 2.9 nC Low Thermal Resistance G DS 2 7 DS 2 7 D Qgd 0.7 nCS D Avalanche Rated DS S 3 6 D VGS=4.5V 12 m S 3 6 DD RDS(on) S DDG 4 5 DG 4 5 DVGS=10V 8 m Pb Free Terminal Plating Vth 2.0 V RoHS Compli

7.6. Size:347K ciclon
csd16414q5.pdf

N-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs CSD16414Q5 Features Product Summary Ultra Low Qg & Qgd VDS 25 V DS 1 8 DS 1 8 D Qg 16.6 nC Low Thermal Resistance DS 2 7 DG S 2 7 D Qgd 4.4 nC D Avalanche Rated S DS 3 6 DS 3 6 D VGS=4.5V 2.1 m S RDS(on) DDG 4 5 DG 4 5 DVGS=10V 1.5 m Pb Free Terminal Plating S Vth 1.6 V RoHS Compliant

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: