CSD25301W1015 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CSD25301W1015
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: WLP1.0X1.5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CSD25301W1015

CSD25301W1015 Datasheet (PDF)

..1. Size:515K ciclon
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P-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs CSD25301W1015 Product Summary Features D DD DD D Ultra Low Qg & Qgd VDS -20 VQg 2.0 nC Small Footprint S SS SS SQgd 0.32 nC Low Profile 0.65mm height VGS= -1.5V 175 m RDS(on) S GS GS G VGS=-2.5V 80 m Pb Free VGS=-4.5V 62 m RoHS Compliant CSP 1.0 x 1.5 mm Wafer Vth -0.75 VTop Vi

7.1. Size:214K texas
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CSD25303W1015www.ti.com SLPS292 JANUARY 2011P-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD25303W10151FEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Qg and QgdTA = 25C unless otherwise stated TYPICAL VALUE UNIT Small FootprintVDS Drain to Source Voltage 20 V Low Profile 0.62mm HeightQg Gate Charge Total (4.5V) 3.3 nC Pb FreeQgd Gate Charge Gate to Drain

7.2. Size:133K texas
csd25302q2.pdf

CSD25302Q2www.ti.com SLPS234B NOVEMBER 2009REVISED JANUARY 2012P-Channel NexFET Power MOSFET1FEATURESPRODUCT SUMMARY Ultralow Qg and QgdVDS Drain to Source Voltage 20 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5V) 2.6 nC Avalanche RatedQgd Gate Charge Gate to Drain 0.5 nCVGS = 1.8V 71 m Pb Free Terminal PlatingRDS(on) Drain to So

7.3. Size:1090K texas
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Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD25304W1015SLPS510A JULY 2014 REVISED AUGUST 2014CSD25304W1015 20-V P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Small FootprintVDS Drain-to-Source Voltage 20 V Low Profile 0.62 mm HeightQg Gate Charge

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Liste

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