CSD25401Q3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSD25401Q3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm

Encapsulados: QFN3.3X3.3

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CSD25401Q3 datasheet

 ..1. Size:475K  ciclon
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CSD25401Q3

P-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs CSD25401Q3 Product Summary Features Ultra Low Qg & Qgd VDS -20 V Qg 8.8 nC Low Thermal Resistance D 1 8 S 1 8 G S Qgd 2.1 nC D S D 2 7 S 2 7 Low Rdson S D VGS = -2.5V 13.5 m S D 3 6 S 3 6 D RDS(on) S VGS = -4.5V 8.7 m Pb Free Terminal Plating D G 4 5 G 4 5 S Vth -0.85 V RoHS Compliant

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CSD25401Q3

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD25404Q3 SLPS570 NOVEMBER 2015 CSD25404Q3 20 V P-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-source voltage 20 V Low RDS(on) Qg Gate charge total ( 4.5 V) 10.9 nC

 7.2. Size:995K  texas
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CSD25401Q3

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CSD25401Q3

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD25481F4 SLPS420D SEPTEMBER 2013 REVISED OCTOBER 2014 CSD25481F4 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low On Resistance TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low Qg and Qgd VDS Drain-to-Source Voltage 20 V High Operating Drain Current Qg Gate

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