K2698B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: K2698B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm

Encapsulados: TO-3PB

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K2698B datasheet

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K2698B

K2698B K2698B K2698B K2698B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 18A,500V,R (Max0.27 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 42nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced using W

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K2698B

2SK2698 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK2698 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit mm Applications Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.35 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 11 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10

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K2698B

K2698 K2698 K2698 K2698 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 18A,500V,R (Max0.27 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 42nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced using Winse

Otros transistores... CSD87501L, CSD88539ND, CSD9024, K2611, K2611B, K2611S, K2611SB, K2698, IRF2807, K2837, K2837B, KDB15N50, KDB2532, KDB2552, KDB2570, KDB2572, KDB2670