K2698B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: K2698B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 42 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET K2698B

K2698B Datasheet (PDF)

..1. Size:1089K winsemi
k2698b.pdf

K2698BK2698BK2698BK2698BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 18A,500V,R (Max0.27)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 42nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using W

9.1. Size:418K toshiba
2sk2698.pdf

2SK2698 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK2698 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit: mmApplications Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0.35 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 11 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10

9.2. Size:967K winsemi
k2698.pdf

K2698K2698K2698K2698Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 18A,500V,R (Max0.27)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 42nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winse

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Liste

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