K2698B Todos los transistores

 

K2698B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: K2698B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PB
 

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K2698B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1089K  winsemi
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K2698B

K2698BK2698BK2698BK2698BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 18A,500V,R (Max0.27)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 42nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using W

 9.1. Size:418K  toshiba
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K2698B

2SK2698 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK2698 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit: mmApplications Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0.35 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 11 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10

 9.2. Size:967K  winsemi
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K2698B

K2698K2698K2698K2698Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 18A,500V,R (Max0.27)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 42nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winse

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History: AP9408GJ | SI8817DB | RJJ1011DPD | AP9410AGH-HF | BSS139 | IMW120R350M1H

 

 
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