KDB2570 Todos los transistores

 

KDB2570 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KDB2570
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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KDB2570 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  kexin
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KDB2570

SMD Type MOSFET150V N-Channel PowerTrench MOSFETKDB2570(FDB2570)TO-263Unit: mmFeatures22 A, 150 V. RDS(ON) =80 m @VGS =10 V +0.24.57-0.2+0.11.27-0.1RDS(ON) =90m @VGS =6VLow gate chargeFast switching speed+0.10.1max1.27-0.1High performance trench technology for extremelylow RDS(ON)+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.4-0.2

 8.1. Size:52K  kexin
 kdb2572.pdf pdf_icon

KDB2570

SMD Type MOSFETN-Channel PowerTrench MOSFETKDB2572(FDB2572)FeaturesTO-263Unit: mmrDS(ON) = 45m (Typ.), VGS = 10V, ID =9A+0.24.57-0.2+0.1Qg(tot) = 26nC (Typ.), VGS = 10V1.27-0.1Low Miller ChargeLow QRR Body DiodeUIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)+0.10.1max1.27-0.1+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.4-0.23

 9.1. Size:51K  kexin
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KDB2570

SMD Type MOSFETN-Channel PowerTrench MOSFETKDB2532(FDB2532)TO-263Unit: mmFeatures+0.24.57-0.2+0.1rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 33A 1.27-0.1Qg(tot) = 82nC (Typ.), VGS = 10VLow Miller ChargeLow QRR Body Diode+0.10.1max1.27-0.1UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.4-0.23

 9.2. Size:51K  kexin
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KDB2570

SMD Type MOSFETN-Channel PowerTrench MOSFETKDB2552(FDB2552)FeaturesTO-263Unit: mmrDS(ON) = 32m (Typ.), VGS = 10V, ID = 16A+0.24.57-0.2+0.1Qg(tot) = 39nC (Typ.), VGS = 10V 1.27-0.1Low Miller ChargeLow QRR Body DiodeUIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)+0.10.1max1.27-0.1+0.10.81-0.12.54 1Gate+0.22Drain2.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.4-0.23

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History: K2698B | SIHL640S | VBL1307 | PMN30ENEA | STP2N105K5 | AON7538 | STP3052D

 

 
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