KDS8928A Todos los transistores

 

KDS8928A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KDS8928A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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KDS8928A datasheet

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KDS8928A

SMD Type IC SMD Type Transistors Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor KDS8928A Features N-Channel 5.5A, 30 V RDS(ON) = 0.030 @VGS =4.5V RDS(ON) = 0.038 @VGS =2.5V P-Channel -4 A, -20 V RDS(ON) = 0.055 @VGS =- 4.5 V RDS(ON) = 0.070 @VGS =-2.5V High density cell design for extremely low RDS(ON). High power and handling capability in a widely used surface mount

 9.1. Size:78K  kexin
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KDS8928A

SMD Type IC SMD Type Transistors Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET KDS8958 Features N-Channel 7.0 A, 30 V RDS(ON) = 0.028 @VGS =10V RDS(ON) = 0.040 @VGS =4.5V P-Channel -5 A, -30 V RDS(ON) = 0.052 @VGS =- 10 V RDS(ON) = 0.080 @VGS =-4.5V Fast switching speed High power and handling capability in a widely used surface mount package Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Sy

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