KF19N20F Todos los transistores

 

KF19N20F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KF19N20F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.155 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220IS
     - Selección de transistores por parámetros

 

KF19N20F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  kec
 kf19n20f.pdf pdf_icon

KF19N20F

KF19N20FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description CAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factorE DIM MILLIMETERS_A 10.16 0.2+correction and switching mode power suppli

 7.1. Size:556K  kec
 kf19n20d.pdf pdf_icon

KF19N20F

KF19N20D/ISEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF19N20DThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentA KDIM MILLIMETERSLavalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and C D_A 6.60 + 0.20_B 6.10 + 0.20switching mo

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History: 2SK2189 | PE528BA | HRS85N08K | 2SK630 | PHD55N03LTA | BRCS50N06DP | PHP11N50E

 

 
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