KF5N25D Todos los transistores

 

KF5N25D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KF5N25D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm

Encapsulados: DPAK

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KF5N25D datasheet

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KF5N25D

KF5N25D SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converters L C D _ A 6.60 + 0.20 _ B 6.10 + 0.20 and switching mode power

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KF5N25D

KF5N25F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description C A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent E DIM MILLIMETERS avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converters _ A 10.16 0.2 + and switching mode power supplies. _ B 15.87

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History: SWD6N80DE | SWD2N60DC

 

 

 

 

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