KF6N70F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KF6N70F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 41 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 19 nC
Tiempo de subida (tr): 32 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 91 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.65 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220IS
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KF6N70F
KF6N70F Datasheet (PDF)
kf6n70f.pdf
KF6N70FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description CAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factorE DIM MILLIMETERS_A 10.16 0.2+correction and switching mode power supplie
kf6n70i.pdf
KF6N70ISEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description AHThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastC Jswitching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gatecharge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable forDIM MILLIMETERSelectronic ballast and switching mode power supplie
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