KF6N70F Todos los transistores

 

KF6N70F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KF6N70F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220IS
 

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KF6N70F datasheet

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KF6N70F

KF6N70F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description C A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor E DIM MILLIMETERS _ A 10.16 0.2 + correction and switching mode power supplie

 8.1. Size:448K  kec
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KF6N70F

KF6N70I SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description A H This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast C J switching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for DIM MILLIMETERS electronic ballast and switching mode power supplie

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