KI1303EDL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KI1303EDL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.29 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.67 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 410 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-323
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI1303EDL
KI1303EDL Datasheet (PDF)
ki1303edl.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETKI1303EDLFeatures1Gate2 Source3DrainAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-source voltage VDS -20 VGate-source voltage VGS 12 VContinuous drain current (TJ = 150 ) TA=25 0.72 0.67ID A-- TA=70 0.58 0.54Pulsed drain current IDM 2.5 AContinuous source current (diode co
ki1302dl.pdf
SMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type MOSFETSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsProduct specificationKI1302DLFeatures1Gate2 Source3DrainAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-source voltage VDS 30 VGate-source voltage VGS 20 VConti
ki1304bdl.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsN-Channel 30-V (D-S) MOSFETKI1304BDLFeaturesTrenchFET Power MOSFET100% Rg Tested1Gate2 Source3DrainAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS 30 VGate-source voltage VGS 12 V0.90Continuous drain current (TJ = 150 ) Tc=25ID A0.71-- Tc=70Continuous drain current (TJ = 150 ) Ta=25 0.85*1,
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Liste
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