KI1304BDL Todos los transistores

 

KI1304BDL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI1304BDL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323
 

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KI1304BDL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  kexin
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KI1304BDL

SMD Type ICSMD Type TransistorsN-Channel 30-V (D-S) MOSFETKI1304BDLFeaturesTrenchFET Power MOSFET100% Rg Tested1Gate2 Source3DrainAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS 30 VGate-source voltage VGS 12 V0.90Continuous drain current (TJ = 150 ) Tc=25ID A0.71-- Tc=70Continuous drain current (TJ = 150 ) Ta=25 0.85*1,

 9.1. Size:219K  tysemi
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KI1304BDL

SMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type MOSFETSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsProduct specificationKI1302DLFeatures1Gate2 Source3DrainAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-source voltage VDS 30 VGate-source voltage VGS 20 VConti

 9.2. Size:60K  kexin
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KI1304BDL

SMD Type ICSMD Type TransistorsP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETKI1303EDLFeatures1Gate2 Source3DrainAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-source voltage VDS -20 VGate-source voltage VGS 12 VContinuous drain current (TJ = 150 ) TA=25 0.72 0.67ID A-- TA=70 0.58 0.54Pulsed drain current IDM 2.5 AContinuous source current (diode co

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