KI1304BDL Todos los transistores

 

KI1304BDL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI1304BDL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323
 

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KI1304BDL datasheet

 ..1. Size:71K  kexin
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KI1304BDL

SMD Type IC SMD Type Transistors N-Channel 30-V (D-S) MOSFET KI1304BDL Features TrenchFET Power MOSFET 100% Rg Tested 1Gate 2 Source 3Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDS 30 V Gate-source voltage VGS 12 V 0.90 Continuous drain current (TJ = 150 ) Tc=25 ID A 0.71 -- Tc=70 Continuous drain current (TJ = 150 ) Ta=25 0.85*1,

 9.1. Size:219K  tysemi
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KI1304BDL

SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type MOSFET SMD Type Transistors SMD Type Transistors Product specification KI1302DL Features 1Gate 2 Source 3Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 secs Steady State Unit Drain-source voltage VDS 30 V Gate-source voltage VGS 20 V Conti

 9.2. Size:60K  kexin
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KI1304BDL

SMD Type IC SMD Type Transistors P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET KI1303EDL Features 1Gate 2 Source 3Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 secs Steady State Unit Drain-source voltage VDS -20 V Gate-source voltage VGS 12 V Continuous drain current (TJ = 150 ) TA=25 0.72 0.67 ID A -- TA=70 0.58 0.54 Pulsed drain current IDM 2.5 A Continuous source current (diode co

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