KI1304BDL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KI1304BDL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.34 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.85 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 30 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI1304BDL

KI1304BDL Datasheet (PDF)

..1. Size:71K kexin
ki1304bdl.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsN-Channel 30-V (D-S) MOSFETKI1304BDLFeaturesTrenchFET Power MOSFET100% Rg Tested1Gate2 Source3DrainAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS 30 VGate-source voltage VGS 12 V0.90Continuous drain current (TJ = 150 ) Tc=25ID A0.71-- Tc=70Continuous drain current (TJ = 150 ) Ta=25 0.85*1,

9.1. Size:219K tysemi
ki1302dl.pdf

SMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type MOSFETSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsProduct specificationKI1302DLFeatures1Gate2 Source3DrainAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-source voltage VDS 30 VGate-source voltage VGS 20 VConti

9.2. Size:60K kexin
ki1303edl.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETKI1303EDLFeatures1Gate2 Source3DrainAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-source voltage VDS -20 VGate-source voltage VGS 12 VContinuous drain current (TJ = 150 ) TA=25 0.72 0.67ID A-- TA=70 0.58 0.54Pulsed drain current IDM 2.5 AContinuous source current (diode co

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Liste

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