KI1400DL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KI1400DL
Código: ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.568 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 1.6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.6 V
Carga de la puerta (Qg): 2.1 nC
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI1400DL
KI1400DL Datasheet (PDF)
ki1400dl.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsN-Channel 20-V (D-S) MOSFETKI1400DLSOT-363Unit: mm+0.11.3-0.10.65Features+0.1 +0.050.1-0.020.3-0.1+0.12.1-0.1Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-source voltage VDS 20 VGate-source voltage VGS 12 VContinuous drain current (TJ = 150 )* TA=25 1.7 1.6ID A1.2 1.0-- TA=85Pulsed drai
ki1407dl.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETKI1407DLSOT-363Unit: mm+0.11.3-0.10.65FeaturesTrenchFET Power MOSFETs1.8 V Rated+0.1 +0.050.1-0.020.3-0.1+0.12.1-0.1Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-source voltage VDS -12 VGate-source voltage VGS 8 VContinuous drain current (TJ = 150 )* TA=25 - 1.8
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