KI1407DL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KI1407DL
   Código: OC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.568 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI1407DL

KI1407DL Datasheet (PDF)

..1. Size:51K kexin
ki1407dl.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETKI1407DLSOT-363Unit: mm+0.11.3-0.10.65FeaturesTrenchFET Power MOSFETs1.8 V Rated+0.1 +0.050.1-0.020.3-0.1+0.12.1-0.1Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-source voltage VDS -12 VGate-source voltage VGS 8 VContinuous drain current (TJ = 150 )* TA=25 - 1.8

9.1. Size:51K kexin
ki1400dl.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsN-Channel 20-V (D-S) MOSFETKI1400DLSOT-363Unit: mm+0.11.3-0.10.65Features+0.1 +0.050.1-0.020.3-0.1+0.12.1-0.1Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-source voltage VDS 20 VGate-source voltage VGS 12 VContinuous drain current (TJ = 150 )* TA=25 1.7 1.6ID A1.2 1.0-- TA=85Pulsed drai

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Liste

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