KI1539DL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KI1539DL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.54 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de KI1539DL MOSFET
KI1539DL Datasheet (PDF)
ki1539dl.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsComplementary 30-V (D-S) MOSFETKI1539DLSOT-363Unit: mm+0.11.3-0.10.65PIN Configuration+0.1 +0.050.1-0.020.3-0.1+0.12.1-0.1Absolute Maximum Ratings TA = 25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit5 secs Steady State 5 secs Steady StateDrain-Source Voltage VDS 30 -30 VGate-Source Voltage VGS 20 VContinuous Drain Current (TJ =
Otros transistores... KHC2300 , KHP45N03LT , KI1302DL , KI1303EDL , KI1304BDL , KI1400DL , KI1407DL , KI1501DL , RFP50N06 , KI1551DL , KI1553DL , KI1555DL , KI1557DH , KI1563DH , KI1563EDH , KI1902DL , KI1903DL .
History: H02N60SI | MRF166W | UT2955G-TN3-R | HGP050N14S | OSG60R200FSZF | IPB039N10N3GE8187 | IXTH52P10P
History: H02N60SI | MRF166W | UT2955G-TN3-R | HGP050N14S | OSG60R200FSZF | IPB039N10N3GE8187 | IXTH52P10P



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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