KI1563DH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KI1563DH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.57 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 1.13 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 1.25 nC
Tiempo de subida (tr): 22 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
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KI1563DH Datasheet (PDF)
ki1563dh.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsComplementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFETKI1563DHSOT-363Unit: mm+0.11.3-0.10.65FeaturesTrenchFET Power MOSFETsFast Switching+0.1 +0.050.1-0.020.3-0.1+0.12.1-0.1Absolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit5 secs Steady State 5 secs Steady StateDrain-Source Voltage VDS 20 -20 VGate-Source Vol
ki1563edh.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsComplementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFETKI1563EDHSOT-363Unit: mm+0.11.3-0.10.65FeaturesTrenchFET Power MOSFETs+0.1 +0.050.1-0.020.3-0.1+0.12.1-0.1Absolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit5 secs Steady State 5 secs Steady StateDrain-Source Voltage VDS 20 -20 VGate-Source Voltage VGS 12 V
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