KI1563EDH Todos los transistores

 

KI1563EDH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI1563EDH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.57 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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KI1563EDH datasheet

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KI1563EDH

SMD Type IC SMD Type Transistors Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET KI1563EDH SOT-363 Unit mm +0.1 1.3-0.1 0.65 Features TrenchFET Power MOSFETs +0.1 +0.05 0.1-0.02 0.3-0.1 +0.1 2.1-0.1 Absolute Maximum Ratings TA =25 N-Channel P-Channel Parameter Symbol Unit 5 secs Steady State 5 secs Steady State Drain-Source Voltage VDS 20 -20 V Gate-Source Voltage VGS 12 V

 8.1. Size:58K  kexin
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KI1563EDH

SMD Type IC SMD Type Transistors Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET KI1563DH SOT-363 Unit mm +0.1 1.3-0.1 0.65 Features TrenchFET Power MOSFETs Fast Switching +0.1 +0.05 0.1-0.02 0.3-0.1 +0.1 2.1-0.1 Absolute Maximum Ratings TA =25 N-Channel P-Channel Parameter Symbol Unit 5 secs Steady State 5 secs Steady State Drain-Source Voltage VDS 20 -20 V Gate-Source Vol

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