KI1563EDH Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KI1563EDH  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.57 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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KI1563EDH datasheet

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KI1563EDH

SMD Type IC SMD Type Transistors Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET KI1563EDH SOT-363 Unit mm +0.1 1.3-0.1 0.65 Features TrenchFET Power MOSFETs +0.1 +0.05 0.1-0.02 0.3-0.1 +0.1 2.1-0.1 Absolute Maximum Ratings TA =25 N-Channel P-Channel Parameter Symbol Unit 5 secs Steady State 5 secs Steady State Drain-Source Voltage VDS 20 -20 V Gate-Source Voltage VGS 12 V

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KI1563EDH

SMD Type IC SMD Type Transistors Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET KI1563DH SOT-363 Unit mm +0.1 1.3-0.1 0.65 Features TrenchFET Power MOSFETs Fast Switching +0.1 +0.05 0.1-0.02 0.3-0.1 +0.1 2.1-0.1 Absolute Maximum Ratings TA =25 N-Channel P-Channel Parameter Symbol Unit 5 secs Steady State 5 secs Steady State Drain-Source Voltage VDS 20 -20 V Gate-Source Vol

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