KI1563EDH Todos los transistores

 

KI1563EDH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI1563EDH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.57 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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KI1563EDH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  kexin
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KI1563EDH

SMD Type ICSMD Type TransistorsComplementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFETKI1563EDHSOT-363Unit: mm+0.11.3-0.10.65FeaturesTrenchFET Power MOSFETs+0.1 +0.050.1-0.020.3-0.1+0.12.1-0.1Absolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit5 secs Steady State 5 secs Steady StateDrain-Source Voltage VDS 20 -20 VGate-Source Voltage VGS 12 V

 8.1. Size:58K  kexin
 ki1563dh.pdf pdf_icon

KI1563EDH

SMD Type ICSMD Type TransistorsComplementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFETKI1563DHSOT-363Unit: mm+0.11.3-0.10.65FeaturesTrenchFET Power MOSFETsFast Switching+0.1 +0.050.1-0.020.3-0.1+0.12.1-0.1Absolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit5 secs Steady State 5 secs Steady StateDrain-Source Voltage VDS 20 -20 VGate-Source Vol

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History: BRI4N70 | IPD127N06LG | 2SJ177 | NVMTS0D7N04C | AOI66406 | SI2301A

 

 
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