KI1563EDH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KI1563EDH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.57 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.45 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.65 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI1563EDH

KI1563EDH Datasheet (PDF)

..1. Size:59K kexin
ki1563edh.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsComplementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFETKI1563EDHSOT-363Unit: mm+0.11.3-0.10.65FeaturesTrenchFET Power MOSFETs+0.1 +0.050.1-0.020.3-0.1+0.12.1-0.1Absolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit5 secs Steady State 5 secs Steady StateDrain-Source Voltage VDS 20 -20 VGate-Source Voltage VGS 12 V

8.1. Size:58K kexin
ki1563dh.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsComplementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFETKI1563DHSOT-363Unit: mm+0.11.3-0.10.65FeaturesTrenchFET Power MOSFETsFast Switching+0.1 +0.050.1-0.020.3-0.1+0.12.1-0.1Absolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit5 secs Steady State 5 secs Steady StateDrain-Source Voltage VDS 20 -20 VGate-Source Vol

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Liste

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