KI1903DL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KI1903DL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.41 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.995 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI1903DL

KI1903DL Datasheet (PDF)

..1. Size:52K kexin
ki1903dl.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsDual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETKI1903DLSOT-363Unit: mm+0.11.3-0.10.65Features+0.1 +0.050.1-0.020.3-0.1+0.12.1-0.1Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-source voltage VDS -20 VGate-source voltage VGS 12 VContinuous drain current (TJ = 150 )* TA=25 0.44 0.41ID A-- TA=85 0.31 0.30P

9.1. Size:51K kexin
ki1902dl.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETKI1902DLSOT-363Unit: mm+0.11.3-0.10.65Features+0.1 +0.050.1-0.020.3-0.1+0.12.1-0.1Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-source voltage VDS 20 VGate-source voltage VGS 12 VContinuous drain current (TJ = 150 )* TA=25 0.70 0.66ID A0.50 0.48-- TA=85Pu

9.2. Size:52K kexin
ki1905dl.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsDual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETKI1905DLSOT-363Unit: mm+0.11.3-0.10.65Features+0.1 +0.050.1-0.020.3-0.1+0.12.1-0.1Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-source voltage VDS -8 VGate-source voltage VGS 8 VContinuous drain current (TJ = 150 )* TA=25 0.60 0.57ID A-- TA=85 0.43 0.41Pul

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Liste

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