KI1903DL Todos los transistores

 

KI1903DL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI1903DL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.41 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.995 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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KI1903DL datasheet

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KI1903DL

SMD Type IC SMD Type Transistors Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET KI1903DL SOT-363 Unit mm +0.1 1.3-0.1 0.65 Features +0.1 +0.05 0.1-0.02 0.3-0.1 +0.1 2.1-0.1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 secs Steady State Unit Drain-source voltage VDS -20 V Gate-source voltage VGS 12 V Continuous drain current (TJ = 150 )* TA=25 0.44 0.41 ID A -- TA=85 0.31 0.30 P

 9.1. Size:51K  kexin
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KI1903DL

SMD Type IC SMD Type Transistors Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET KI1902DL SOT-363 Unit mm +0.1 1.3-0.1 0.65 Features +0.1 +0.05 0.1-0.02 0.3-0.1 +0.1 2.1-0.1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 secs Steady State Unit Drain-source voltage VDS 20 V Gate-source voltage VGS 12 V Continuous drain current (TJ = 150 )* TA=25 0.70 0.66 ID A 0.50 0.48 -- TA=85 Pu

 9.2. Size:52K  kexin
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KI1903DL

SMD Type IC SMD Type Transistors Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET KI1905DL SOT-363 Unit mm +0.1 1.3-0.1 0.65 Features +0.1 +0.05 0.1-0.02 0.3-0.1 +0.1 2.1-0.1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 secs Steady State Unit Drain-source voltage VDS -8 V Gate-source voltage VGS 8 V Continuous drain current (TJ = 150 )* TA=25 0.60 0.57 ID A -- TA=85 0.43 0.41 Pul

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