KI1917 Todos los transistores

 

KI1917 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI1917
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.57 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 0.47 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.37 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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KI1917 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  tysemi
 ki1917.pdf pdf_icon

KI1917

SMD Type MOSFETSMD Type TransistorsSMD Type ICProduct specificationKI1917SOT-363Unit: mm Features+0.11.3-0.1 VDS= -12V,ID = -1.0A 0.65 RDS(on)= 370m @VGS= -4.5V ESD Protected: 3000 VPb-Free Packages are Available +0.050.1-0.02 Lead temperature for soldering:TL=2605 +0.10.3-0.1+0.12.1-0.11 S1 4 S25 G22 G13 D2 6 D1

 9.1. Size:298K  tysemi
 ki1912.pdf pdf_icon

KI1917

SMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type MOSFETSMD Type MOSFETSMD TypeProduct specificationKI1912SOT-363Unit: mm Features+0.11.3-0.10.65 VDS=20V,ID = 1.13A RDS(on)= 280m @VGS=4.5V ESD Protected: 2000 VPb-Free Packages are Available +0.05

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History: STL90N3LLH6 | NCE70N1K1K | STU336S

 

 
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