KI2307BDS Todos los transistores

 

KI2307BDS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI2307BDS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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KI2307BDS datasheet

 ..1. Size:51K  kexin
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KI2307BDS

SMD Type IC SMD Type Transistors P-Channel 30-V (D-S) MOSFET KI2307BDS SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 Features 3 TrenchFET Power MOSFET RoHS Compliant 12 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 1. Gate 2.Emitter 2. Source 3. Drain 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 sec Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V

 8.1. Size:197K  tysemi
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KI2307BDS

SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type MOSFET SMD Type MOSFET SMD Type MOSFE SMD Type MOSFET SMD Type MOSFET SMD Type MOSFET SMD Type IC Product specification KI2307DS SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 Features +0.1 0.4-0.1 3 VDS=-30V, rDS(on)=0.080 ,VGS=-10V,ID=-3A VDS=-30V, rDS(on)=0.140 ,VGS=-4.5V,ID=-2.5A 1 2 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1

 8.2. Size:1508K  kexin
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KI2307BDS

 9.1. Size:848K  lge
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KI2307BDS

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History: IRFP350FI

 

 
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