KI2315BDS Todos los transistores

 

KI2315BDS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI2315BDS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

KI2315BDS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  kexin
 ki2315bds.pdf pdf_icon

KI2315BDS

SMD Type ICSMD Type TransistorsP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETKI2315BDSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.1Features312+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 sec Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS -12 VGate-Source Voltage VGS 8 VContinuous

 9.1. Size:205K  kexin
 ki2312.pdf pdf_icon

KI2315BDS

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET KI2312 Features3 VDS (V) = 20V ID = 4.9 A (VGS =4.5V) RDS(ON) 33m (VGS = 4.5V)12 RDS(ON) 40m (VGS = 2.5V) RDS(ON) 51m (VGS = 1.8V) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbo

 9.2. Size:1794K  kexin
 si2312 ki2312.pdf pdf_icon

KI2315BDS

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET SI2312 (KI2312)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) = 20V ID = 4.9 A (VGS =4.5V) RDS(ON) 33m (VGS = 4.5V)1 2 RDS(ON) 40m (VGS = 2.5V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 51m (VGS = 1.8V)G 13 D1. Gate2. SourceS 23. Drain Abs

 9.3. Size:175K  kexin
 ki2310.pdf pdf_icon

KI2315BDS

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETKI2310SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 VDS=20V ID = 6 .5A RDS(on)= 22m@VGS=4.5V ,ID=6.5A1 2 RDS(on)= 30m@VGS=2.5V ,ID=5.5A +0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.1G 13 D1.GateS 22.Source3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Dr

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History: 11NM70G-TF1-T | LSF60R240HT | 2SK2071-01L | ATM2N65TE | BUK9Y58-75B | IRF3707L | IXFH16N60P3

 

 
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