KI2335DS Todos los transistores

 

KI2335DS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI2335DS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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KI2335DS datasheet

 ..1. Size:51K  kexin
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KI2335DS

SMD Type IC SMD Type Transistors P-Channel 12-V (D-S) MOSFET KI2335DS SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 Features 3 12 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 1. Gate 2.Emitter 2. Source 3. Drain 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 sec Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS -12 V Gate-Source Voltage VGS 8 V Continuous D

 9.1. Size:606K  tysemi
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KI2335DS

SMD Type SMD Type SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type MOSFET SMD Type MOSFE SMD Type MOSFET SMD Type MOSFET SMD Type MOSFET SMD Type IC Product specification KI2333CDS SOT-23 Features Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 VDSS=-12V,ID=-5.1A 3 RD S(ON)=35m (MAX) @ VGS=-2.5V,ID=-4.5A D S(ON) GS D R =45m (MAX) @ V =-4.5V,I =-5.1A D

 9.2. Size:62K  kexin
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KI2335DS

SMD Type IC SMD Type Transistors P-Channel 12-V (D-S) MOSFET KI2337DS SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features TrenchFET Power MOSFET 12 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 1. Gate 2.Emitter 2. Source 3. Drain 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 sec Unit Drain-Source Voltage VDS -80 V Gate-Source Voltage VGS 20 V

 9.3. Size:1947K  kexin
 si2333cds ki2333cds.pdf pdf_icon

KI2335DS

SMD Type MOSFET P-Channel Enhancement MOSFET SI2333CDS (KI2333CDS) SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 VDS (V) =-12V ID =-5.1A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 35m (VGS =-4.5V) 1 2 +0.02 +0.1 RDS(ON) 45m (VGS =-2.5V) 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9-0.2 RDS(ON) 59m (VGS =-1.8V) G 1 3 D 1. Gate 2. Source S 2 3. D

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