KI2337DS Todos los transistores

 

KI2337DS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI2337DS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.76 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

KI2337DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  kexin
 ki2337ds.pdf pdf_icon

KI2337DS

SMD Type ICSMD Type TransistorsP-Channel 12-V (D-S) MOSFETKI2337DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesTrenchFET Power MOSFET12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 sec UnitDrain-Source Voltage VDS -80 VGate-Source Voltage VGS 20 V

 9.1. Size:606K  tysemi
 ki2333cds.pdf pdf_icon

KI2337DS

SMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type MOSFETSMD Type MOSFESMD Type MOSFETSMD Type MOSFETSMD Type MOSFETSMD Type ICProduct specification KI2333CDSSOT-23 FeaturesUnit: mm+0.12.9-0.1+0.1 0.4-0.1 VDSS=-12V,ID=-5.1A3 RD S(ON)=35m(MAX) @ VGS=-2.5V,ID=-4.5AD S(ON) GS D R =45m(MAX) @ V =-4.5V,I =-5.1AD

 9.2. Size:1947K  kexin
 si2333cds ki2333cds.pdf pdf_icon

KI2337DS

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2333CDS (KI2333CDS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) =-12V ID =-5.1A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 35m (VGS =-4.5V)1 2+0.02+0.1 RDS(ON) 45m (VGS =-2.5V)0.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2 RDS(ON) 59m (VGS =-1.8V)G 1 3 D 1. Gate2. SourceS 2 3. D

 9.3. Size:51K  kexin
 ki2335ds.pdf pdf_icon

KI2337DS

SMD Type ICSMD Type TransistorsP-Channel 12-V (D-S) MOSFETKI2335DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.1Features312+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 sec Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS -12 VGate-Source Voltage VGS 8 VContinuous D

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History: AM2336N-T1 | SMOS44N80

 

 
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