KI2337DS Todos los transistores

 

KI2337DS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI2337DS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.76 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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KI2337DS datasheet

 ..1. Size:62K  kexin
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KI2337DS

SMD Type IC SMD Type Transistors P-Channel 12-V (D-S) MOSFET KI2337DS SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features TrenchFET Power MOSFET 12 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 1. Gate 2.Emitter 2. Source 3. Drain 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 sec Unit Drain-Source Voltage VDS -80 V Gate-Source Voltage VGS 20 V

 9.1. Size:606K  tysemi
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KI2337DS

SMD Type SMD Type SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type MOSFET SMD Type MOSFE SMD Type MOSFET SMD Type MOSFET SMD Type MOSFET SMD Type IC Product specification KI2333CDS SOT-23 Features Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 VDSS=-12V,ID=-5.1A 3 RD S(ON)=35m (MAX) @ VGS=-2.5V,ID=-4.5A D S(ON) GS D R =45m (MAX) @ V =-4.5V,I =-5.1A D

 9.2. Size:1947K  kexin
 si2333cds ki2333cds.pdf pdf_icon

KI2337DS

SMD Type MOSFET P-Channel Enhancement MOSFET SI2333CDS (KI2333CDS) SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 VDS (V) =-12V ID =-5.1A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 35m (VGS =-4.5V) 1 2 +0.02 +0.1 RDS(ON) 45m (VGS =-2.5V) 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9-0.2 RDS(ON) 59m (VGS =-1.8V) G 1 3 D 1. Gate 2. Source S 2 3. D

 9.3. Size:51K  kexin
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KI2337DS

SMD Type IC SMD Type Transistors P-Channel 12-V (D-S) MOSFET KI2335DS SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 Features 3 12 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 1. Gate 2.Emitter 2. Source 3. Drain 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 sec Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS -12 V Gate-Source Voltage VGS 8 V Continuous D

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