KI4503DY Todos los transistores

 

KI4503DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI4503DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

KI4503DY Datasheet (PDF)

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KI4503DY

SMD Type ICSMD Type TransistorsN- and P-Channel MOSFETKI4503DYFeaturesTrenchFET Power MOSFETAbsolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit10 sec Steady State 10 sec Steady StateDrain-Source Voltage VDS 30 -8 VGate-Source Voltage VGS 20 8 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 8.8 6.3 -4.5 -3.8 AIDTA =70 7 5.2 -3.6 -3 APulsed Drain Cu

 9.1. Size:57K  renesas
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KI4503DY

SMD Type ICSMD Type TransistorsComplementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)KI4500BDYFeaturesTrenchFET Power MOSFETAbsolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit10 sec Steady State 10 sec Steady StateDrain-Source Voltage VDS 20 -20 VGate-Source Voltage VGS 12 12 VContinuous Drain Current TA =25 9.1 6.6 ?5.3 -3.8 AID(TJ = 150 )* TA =70 7

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KI4503DY

SMD Type ICSMD Type TransistorsComplementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)KI4501DYPIN ConfigurationAbsolute Maximum Ratings TA =25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-Source Voltage VDS 30 -8 VGate-Source Voltage VGS 20 8 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 9 6.2 AIDTA =70 7.4 5.0 APulsed Drain Current IDM 30 20 AContinuous Source Current (D

 9.3. Size:57K  renesas
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KI4503DY

SMD Type ICSMD Type TransistorsN- and P-Channel MOSFETKI4505DYFeaturesTrenchFET Power MOSFETAbsolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit10 sec Steady State 10 sec Steady StateDrain-Source Voltage VDS 30 -8 VGate-Source Voltage VGS 20 8 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 7.8 6 -5 -3.8 AIDTA =70 6 5.2 -3.6 -3 APulsed Drain Curren

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History: NTBV45N06L | KI502DT | CM6N60F | TDM3420

 

 
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