KI4532DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KI4532DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3.9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 9.8 nC
Tiempo de subida (tr): 6 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI4532DY
KI4532DY Datasheet (PDF)
ki4532dy.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsN- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETKI4532DYPIN ConfigurationAbsolute Maximum Ratings TA =25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-Source Voltage VDS 30 -30 VGate-Source Voltage VGS 20 20 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 3.9 3.5 AIDTA =70 3.1 2.8 APulsed Drain Current IDM 20 20 AContinuous Source Current (Diode Conducti
ki4532ady.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsN- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETKI4532ADYPIN ConfigurationAbsolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit10 sec Steady State 10 sec Steady StateDrain-Source Voltage VDS 30 -30 VGate-Source Voltage VGS 20 20 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 4.9 3.7 -3.9 -3 AIDTA =70 3.9 2.9 -3.1 -2.4 APulsed Drain C
ki4539ady.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsN- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETKI4539ADYPIN ConfigurationAbsolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit10 secs Steady State 10 secs Steady StateDrain-Source Voltage VDS 30 -30 VGate-Source Voltage VGS 20 20 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 5.9 4.4 -4.9 -3.7 AIDTA =70 4.7 3.6 -3.9 -2.9 APulsed Dra
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