KI4532DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KI4532DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI4532DY

KI4532DY Datasheet (PDF)

..1. Size:57K renesas
ki4532dy.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsN- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETKI4532DYPIN ConfigurationAbsolute Maximum Ratings TA =25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-Source Voltage VDS 30 -30 VGate-Source Voltage VGS 20 20 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 3.9 3.5 AIDTA =70 3.1 2.8 APulsed Drain Current IDM 20 20 AContinuous Source Current (Diode Conducti

8.1. Size:60K kexin
ki4532ady.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsN- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETKI4532ADYPIN ConfigurationAbsolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit10 sec Steady State 10 sec Steady StateDrain-Source Voltage VDS 30 -30 VGate-Source Voltage VGS 20 20 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 4.9 3.7 -3.9 -3 AIDTA =70 3.9 2.9 -3.1 -2.4 APulsed Drain C

9.1. Size:59K renesas
ki4539ady.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsN- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETKI4539ADYPIN ConfigurationAbsolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit10 secs Steady State 10 secs Steady StateDrain-Source Voltage VDS 30 -30 VGate-Source Voltage VGS 20 20 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 5.9 4.4 -4.9 -3.7 AIDTA =70 4.7 3.6 -3.9 -2.9 APulsed Dra

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History: IRFP332

Liste

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