KI4558DY Todos los transistores

 

KI4558DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI4558DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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KI4558DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:56K  kexin
ki4558dy.pdf

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SMD Type ICSMD Type ICN- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETKI4558DYPIN ConfigurationAbsolute Maximum Ratings TA =25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-Source Voltage VDS 30 -30 VGate-Source Voltage VGS 20 20 VContinuous Drain Current (TJ =150 )* TA =25 6 6 AIDTA =70 4.7 4.7 APulsed Drain Current IDM 30 30 AContinuous Source Current (Diode Conduction)* IS 2-2A

 9.1. Size:57K  renesas
ki4559ey.pdf

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KI4558DY

SMD Type ICSMD Type ICN-Channel 60-V (D-S), 175 MOSFETKI4559EYPIN ConfigurationAbsolute Maximum Ratings TA =25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-Source Voltage VDS 60 -60 VGate-Source Voltage VGS 20 20 VContinuous Drain Current (TJ =150 )* TA =25 4.5 3.1 AIDTA =70 3.8 2.6 APulsed Drain Current IDM 30 30 AContinuous Source Current (Diode Conduction)* IS 2-2A

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
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