KI4923DY Todos los transistores

 

KI4923DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KI4923DY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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KI4923DY datasheet

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KI4923DY

SMD Type IC SMD Type IC Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET KI4923DY Features TrenchFET Power MOSFETS Advanced High Cell Density Process 1 Source 1 3 Source 2 2 Gate 1 4 Gate 2 7,8 Drain 1 5,6 Drain 2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 10 secs Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS 20 TA =25 -8.3 -6.2 Continuous Drain Current

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KI4923DY

SMD Type IC SMD Type IC Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET KI4920DY Features Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 Continuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 ID 6.9 A TA =70 5.5 Pulsed Drain Current IDM 40 Continuous Source Current (Diode Conduction) * IS 1.7 A TA =25 2 Maximum Power Dissipation * P

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