KI5402DC Todos los transistores

 

KI5402DC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI5402DC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: CHIPFET
 

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KI5402DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  renesas
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KI5402DC

SMD Type ICSMD Type ICN-Channel 30-V (D-S) MOSFETKI5402DCFeaturesAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS 30VGate-Source Voltage VGS 20TA =25 6.7 4.9Continuous Drain Current (TJ = 150 ) * IDTA =70 4.8 3.5APulsed Drain Current IDM 20Continuous Source Current * IS 2.1 1.1TA =25 2.5 1.3Maximum Power Dissipat

 9.1. Size:62K  kexin
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KI5402DC

SMD Type ICSMD Type ICN-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETKI5404BDCFeaturesTrenchFET Power MOSFETAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS 20VGate-Source Voltage VGS 12TA =25 7.5 5.4Continuous Drain Current (TJ = 150 ) * IDTA =70APulsed Drain Current IDM 20Continuous Source Current * IS 2.1 1.1TA =25 2.5 1.3Maxi

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 ki5406dc.pdf pdf_icon

KI5402DC

SMD Type ICSMD Type ICN-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETKI5406DCFeaturesTrenchFET Power MOSFETS: 2.5-V RatedLow Thermal ResistanceAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS 12VGate-Source Voltage VGS 8TA =25 9.5 6.9Continuous Drain Current (TJ = 150 ) * IDTA =85APulsed Drain Current IDM 20Continuous Source Curren

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History: AP75N07GS-HF | IRF3704ZPBF | IRF840LCPBF | WMS08DN06TS | FQB27N25TMAM002 | TPC8406-H

 

 
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