KI5406DC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KI5406DC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: CHIPFET

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI5406DC

KI5406DC Datasheet (PDF)

..1. Size:62K kexin
ki5406dc.pdf

SMD Type ICSMD Type ICN-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETKI5406DCFeaturesTrenchFET Power MOSFETS: 2.5-V RatedLow Thermal ResistanceAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS 12VGate-Source Voltage VGS 8TA =25 9.5 6.9Continuous Drain Current (TJ = 150 ) * IDTA =85APulsed Drain Current IDM 20Continuous Source Curren

9.1. Size:59K renesas
ki5402dc.pdf

SMD Type ICSMD Type ICN-Channel 30-V (D-S) MOSFETKI5402DCFeaturesAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS 30VGate-Source Voltage VGS 20TA =25 6.7 4.9Continuous Drain Current (TJ = 150 ) * IDTA =70 4.8 3.5APulsed Drain Current IDM 20Continuous Source Current * IS 2.1 1.1TA =25 2.5 1.3Maximum Power Dissipat

9.2. Size:62K kexin
ki5404bdc.pdf

SMD Type ICSMD Type ICN-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETKI5404BDCFeaturesTrenchFET Power MOSFETAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS 20VGate-Source Voltage VGS 12TA =25 7.5 5.4Continuous Drain Current (TJ = 150 ) * IDTA =70APulsed Drain Current IDM 20Continuous Source Current * IS 2.1 1.1TA =25 2.5 1.3Maxi

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Liste

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