KI5406DC Todos los transistores

 

KI5406DC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI5406DC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: CHIPFET
 

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KI5406DC datasheet

 ..1. Size:62K  kexin
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KI5406DC

SMD Type IC SMD Type IC N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET KI5406DC Features TrenchFET Power MOSFETS 2.5-V Rated Low Thermal Resistance Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 secs Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS 12 V Gate-Source Voltage VGS 8 TA =25 9.5 6.9 Continuous Drain Current (TJ = 150 ) * ID TA =85 A Pulsed Drain Current IDM 20 Continuous Source Curren

 9.1. Size:59K  renesas
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KI5406DC

SMD Type IC SMD Type IC N-Channel 30-V (D-S) MOSFET KI5402DC Features Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 secs Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 TA =25 6.7 4.9 Continuous Drain Current (TJ = 150 ) * ID TA =70 4.8 3.5 A Pulsed Drain Current IDM 20 Continuous Source Current * IS 2.1 1.1 TA =25 2.5 1.3 Maximum Power Dissipat

 9.2. Size:62K  kexin
 ki5404bdc.pdf pdf_icon

KI5406DC

SMD Type IC SMD Type IC N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET KI5404BDC Features TrenchFET Power MOSFET Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 secs Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS 12 TA =25 7.5 5.4 Continuous Drain Current (TJ = 150 ) * ID TA =70 A Pulsed Drain Current IDM 20 Continuous Source Current * IS 2.1 1.1 TA =25 2.5 1.3 Maxi

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