KI5441DC Todos los transistores

 

KI5441DC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI5441DC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: CHIPFET
 

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KI5441DC datasheet

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KI5441DC

SMD Type IC SMD Type IC P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET KI5441DC Features TrenchFET Power MOSFET 2.5-V Rated Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 secs Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS 12 TA =25 -5.3 -3.9 Continuous Drain Current (TJ = 150 ) * ID TA =85 -3.8 -2.8 A Pulsed Drain Current IDM -20 Continuous Source Current * IS -2.

 9.1. Size:62K  kexin
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KI5441DC

SMD Type IC SMD Type IC P-Channel 20-V (D-S) MOSFET KI5447DC Features Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 secs Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS 8 TA =25 -4.8 -3.5 Continuous Drain Current (TJ = 150 ) * ID TA =85 -3.5 -2.5 A Pulsed Drain Current IDM -15 Continuous Source Current * IS -2.1 -1.1 TA =25 2.5 1.3 Maximum Power D

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History: IRLL024NPBF | SIHU6N65E

 

 
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