KI5447DC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KI5447DC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.45 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.076 Ohm
   Paquete / Cubierta: CHIPFET

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI5447DC

KI5447DC Datasheet (PDF)

..1. Size:62K kexin
ki5447dc.pdf

SMD Type ICSMD Type ICP-Channel 20-V (D-S) MOSFETKI5447DCFeaturesAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS -20VGate-Source Voltage VGS 8TA =25 -4.8 -3.5Continuous Drain Current (TJ = 150 ) * IDTA =85 -3.5 -2.5APulsed Drain Current IDM -15Continuous Source Current * IS -2.1 -1.1TA =25 2.5 1.3Maximum Power D

9.1. Size:63K kexin
ki5441dc.pdf

SMD Type ICSMD Type ICP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETKI5441DCFeaturesTrenchFET Power MOSFET2.5-V RatedAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS -20VGate-Source Voltage VGS 12TA =25 -5.3 -3.9Continuous Drain Current (TJ = 150 ) * IDTA =85 -3.8 -2.8APulsed Drain Current IDM -20Continuous Source Current * IS -2.

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History: BUZ900D

Liste

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