KI5504DC Todos los transistores

 

KI5504DC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI5504DC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: CHIPFET
 

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KI5504DC datasheet

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KI5504DC

SMD Type IC SMD Type IC Complementary 30-V (D-S) MOSFET KI5504DC PIN Configuration Absolute Maximum Ratings TA =25 N-Channel P-Channel Parameter Symbol Unit 5 secs Steady State 5 secs Steady State Drain-Source Voltage VDS 30 -30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V Continuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 3.9 2.9 2.8 2.1 A ID TA =85 2.8 2.1 2.0 1.5 A Pulsed Drain Current IDM 10 A C

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History: AGM306C | AGM15T13A | AGM15N10D | AGM056N10C | AGM303MNA | STN4426 | AGM18N20H

 

 
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