KI5515DC Todos los transistores

 

KI5515DC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KI5515DC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: CHIPFET

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KI5515DC datasheet

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KI5515DC

SMD Type IC SMD Type IC Complementary 20-V (D-S) MOSFET KI5515DC Features TrenchFET Power MOSFETS Ultra Low rDS(on) and Excellent Power Handling In Compact Footprint Absolute Maximum Ratings TA =25 N-Channel P-Channel Parameter Symbol Unit 5 secs Steady State 5 secs Steady State Drain-Source Voltage VDS 20 -20 V Gate-Source Voltage VGS 8 V Continuous Drain Current (TJ = 150 )* TA

 9.1. Size:70K  kexin
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KI5515DC

SMD Type IC SMD Type IC Complementary 20-V (D-S) MOSFET KI5513DC PIN Configuration Absolute Maximum Ratings TA =25 N-Channel P-Channel Parameter Symbol Unit 5 secs Steady State 5 secs Steady State Drain-Source Voltage VDS 20 -20 V Gate-Source Voltage VGS 12 V Continuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 4.2 3.1 -2.9 -2.1 A ID TA =85 3 2.2 -2.1 -1.5 A Pulsed Drain Current IDM 10 -1

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History: KI5902DC

 

 

 

 

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