KI5515DC Todos los transistores

 

KI5515DC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI5515DC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: CHIPFET
 

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KI5515DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  kexin
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KI5515DC

SMD Type ICSMD Type ICComplementary 20-V (D-S) MOSFETKI5515DCFeaturesTrenchFET Power MOSFETSUltra Low rDS(on) and Excellent PowerHandling In Compact FootprintAbsolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit5 secs Steady State 5 secs Steady StateDrain-Source Voltage VDS 20 -20 VGate-Source Voltage VGS 8 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA

 9.1. Size:70K  kexin
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KI5515DC

SMD Type ICSMD Type ICComplementary 20-V (D-S) MOSFETKI5513DCPIN ConfigurationAbsolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit5 secs Steady State 5 secs Steady StateDrain-Source Voltage VDS 20 -20 VGate-Source Voltage VGS 12 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 4.2 3.1 -2.9 -2.1 AIDTA =85 3 2.2 -2.1 -1.5 APulsed Drain Current IDM 10 -1

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History: SWP042R10ES | HFP13N65U | 2SK1889 | RD3H160SP | CS4N60U | RD3H045SP | IXFH18N60P

 

 
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