KMDF2C03HD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KMDF2C03HD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KMDF2C03HD

KMDF2C03HD Datasheet (PDF)

..1. Size:57K renesas
kmdf2c03hd.pdf

SMD Type ICSMD Type ICPower MOSFET 2 Am, 30 VKMDF2C03HDFeaturesUltra Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and ExtendsBattery LifeLogic Level Gate Drive ? Can Be Driven by Logic ICsDiode Is Characterized for Use In Bridge CircuitsDiode Exhibits High Speed, With Soft RecoveryIDSS Specified at Elevated TemperatureAvalanche Energy SpecifiedAbsolute Maximum Ratings Ta = 25

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