KMDF2C03HD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KMDF2C03HD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V
Carga de compuerta (Qg): 11.5 nC
Tiempo de elevación (tr): 65 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 160 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.07 Ohm
Empaquetado / Estuche: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KMDF2C03HD
KMDF2C03HD Datasheet (PDF)
1.1. kmdf2c03hd.pdf 
Size:57K _update_mosfet
SMD Type IC SMD Type IC Power MOSFET 2 Am, 30 V KMDF2C03HD Features Ultra Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life Logic Level Gate Drive ? Can Be Driven by Logic ICs Diode Is Characterized for Use In Bridge Circuits Diode Exhibits High Speed, With Soft Recovery IDSS Specified at Elevated Temperature Avalanche Energy Specified Absolute Maximum Ratings Ta = 25
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