KN0606L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KN0606L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
- Selección de transistores por parámetros
KN0606L Datasheet (PDF)
kn0606l.pdf

SMDTypee ans istICDIP Type TrMOSFETSMD TypeDIP TySMD TyppeeDIP TyppeeSMD Typ CSMD Type IorSMDType MOSFETTySMDDIP Type ICProduct specificationKN0606LTO-92Unit: mm+0.254.58 0.15 FeaturesD Low On-Resistance: 1.2 WD Low Threshold:
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: IPT026N10N5 | HSCB2307 | AONS420A60 | SSM09N90CGW | FQU8P10 | AP4506GEM | SQD100N03-3M2L
History: IPT026N10N5 | HSCB2307 | AONS420A60 | SSM09N90CGW | FQU8P10 | AP4506GEM | SQD100N03-3M2L



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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