KO3404 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KO3404
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
- Selección de transistores por parámetros
KO3404 Datasheet (PDF)
ao3404 ko3404.pdf

SMD Type ICSMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET AO3404 (KO3404) 3FeaturesVDS (V) = 30VID =5.8 A (VGS=10V)12RDS(ON) 28 m (VGS =10V) RDS(ON) 43 m (VGS =4.5V) D G SAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source V
ko3404.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorKO3404SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.1Features3VDS (V) = 30VID =5.8 A (VGS=10V)RDS(ON) 28 m (VGS =10V)12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01RDS(ON) 43 m (VGS =4.5V)+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Paramet
ko3403.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorKO3403SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesVDS (V) =-30VID =-2.6 A (VGS=-10V)12RDS(ON) 130 m (VGS =-10V)+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.1RDS(ON) 180 m (VGS =-4.5V)RDS(ON) 260m (VGS =-2.5V)1.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute
ao3407 ko3407.pdf

SMD Type ICSMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET AO3407 (KO3407)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13FeaturesVDS (V) = -30VID = -4.1 A1 2+0.02+0.10.15 -0.02RDS(ON) 52m (VGS = -10V) 0.95 -0.1D 1.9+0.1-0.2RDS(ON) 87m (VGS = -4.5V)1. Gate2. SourceG 3. DrainS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sourc
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: IPF105N03LG | STP13N60DM2 | PMPB55ENEA | STP7401 | 2SJ151 | ZXM61N03FTA | IRFZ44VS
History: IPF105N03LG | STP13N60DM2 | PMPB55ENEA | STP7401 | 2SJ151 | ZXM61N03FTA | IRFZ44VS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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