KO3414 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KO3414
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 6.2 nC
Tiempo de subida (tr): 6.3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 66 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KO3414
KO3414 Datasheet (PDF)
ko3414.pdf
SMD Type ICSMD Type MOSFETN-Channel Enhancement ModeField Effect TransistorKO3414(AO3414)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.1Features 0.4-0.13VDS (V) = 20VID =4.2A(VGS=4.5V)RDS(ON) 50m (VGS =4.5V)12+0.1+0.05RDS(ON) 63m (VGS =2.5V)0.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.1RDS(ON) 87m (VGS =1.8V)1.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximu
ko3416.pdf
SMDTypee ans istICDIP Type TrMOSFETSMD TypeDIP TySMD TyppeeDIP TyppeeSMD Typ CSMD Type IorSMDType MOSFETTySMDDIP Type ICProduct specificationKO3416SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.20.4+0.1 Features -0.053 VDS (V) = 20V ID = 6.5 A RDS(ON) 22m (VGS = 4.5V)12 RDS(ON) 26m (VGS = 2.5V)+0.10.95-0.1 0.1+0.05-0.01+0.2
ko3415a.pdf
SMD Type MOSFETTransistorsP-Channel MOSFET KO3415ASOT-23 Features Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.1 VDS (V) =-12V 0.4-0.13 ID =-4.1 A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 45m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 60m (VGS =-2.5V)1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating U
ao3416 ko3416.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETAO3416 (KO3416) Features VDS (V) = 20V3 ID = 6.5 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 22m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 26m (VGS = 2.5V)12D D RDS(ON) 34m (VGS = 1.8V) GG SS Absolute Maximum Ratings Ta
ao3415 ko3415.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO3415 (KO3415)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) =-20V ID =-5 A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 43m (VGS =-4.5V)1 2 RDS(ON) 55m (VGS =-2.5V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2 RDS(ON) 75m (VGS =-1.8V) RDS(ON) 100m (VGS =-1.5V)1. GateD2. Source3
ko3413.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorKO3413SOT-23Unit: mm Features+0.12.9-0.1+0.10.4-0.1 VDS (V) = -20V3 ID = -3 A RDS(ON) 97m (VGS = -4.5V) RDS(ON) 130m (VGS = -2.5V) 1 2+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01D RDS(ON) 190m (VGS = -1.8V) +0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. SourceG 3. Dr
ko3419.pdf
SMD Type ICSMD Type MOSFETP-Channel Enhancement ModeField Effect TransistorKO3419(AO3419)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1Features+0.10.4-0.1VDS (V) = -20V3ID =-3.5ARDS(ON) 75m (VGS = -10V)12RDS(ON) 95m (VGS = -4.5V)+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.1RDS(ON) 145m (VGS = -2.5V)1.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
