KPA1750 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KPA1750
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 385 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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KPA1750 datasheet
kpa1750.pdf
SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC Product specification KPA1750 Features Dual MOSFET chips in small package 4V Gate Drive Type and Low On-Resistance RDS(on)1 =0.09 TYP. (VGS =-10 V, ID =-1.8 A) RDS(on)2 =0.18 TYP. (VGS =-4V, ID = -1.8A) Low Ciss Ciss = 540 pF TYP.
kpa1758.pdf
SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type MOSFET SMD Type SMD Type IC Product specification KPA1758 Features Dual MOS FET chips in small package 2.5 V gate drive type low on-state resistance RDS(on)1 =30 m (MAX.) (VGS =4.5 V, ID =3.0 A) RDS(on)2 =40 m (MAX.) (VGS =2.5 V, ID =3.0 A) 1 Sou
kpa1793.pdf
SMD Type IC SMD Type IC MOS Field Effect Transistor KPA1793 Features Low on-state resistance N-channel RDS(on)1 =69 m MAX. (VGS =10 V, ID =1.5 A) RDS(on)2 =72 m MAX. (VGS =4.0 V, ID =1.5 A) RDS(on)3 = 107 m MAX. (VGS =2.5 V, ID =1.0 A) P-channel RDS(on)1 = 115 m MAX. (VGS =-4.5 V, ID =-1.5A) RDS(on)2 = 120 m MAX. (VGS =-4.0V, ID =-1.5 A) RDS(on)3 = 190 m MAX. (VGS =-2.5V, ID =-1.0 A)
kpa1716.pdf
SMD Type SMD Type SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC Product specification KPA1716 Features Low on-state resistance RDS(on)1 = 12.5 m TYP. (VGS =-10 V, ID =-4 A) RDS(on)2 =17 m TYP. (VGS =-4.5 V, ID =-4A) RDS(on)3 =19 m TYP. (VGS = -4.01 V, ID =-4 A) Low Ciss Ciss = 2100 pF TYP. Built-in G-S protection diode Small and surface mount package
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History: LSF70R640GT | LSF70R450GT | NCEP058N85D | KPA1716
History: LSF70R640GT | LSF70R450GT | NCEP058N85D | KPA1716
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