KPA1764 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KPA1764
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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KPA1764 datasheet
kpa1764.pdf
SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC Product specification KPA1764 Features Dual chip type Low on-state resistance RDS(on)1 =27 m TYP. (VGS =10V, ID =3.5 A) RDS(on)2 =32 m TYP. (VGS =4.5 V, ID =3.5 A) 1 Source 1 RDS(on)3 =34 m TYP. (VGS =4.0 V, ID =3.5 A) 2 Gate 1 Low input capacitance 7, 8 Drain 1 3 Source 2 Ciss = 1300 pF TYP. 4 Gate 2 5, 6 Drain 2 Bui
kpa1793.pdf
SMD Type IC SMD Type IC MOS Field Effect Transistor KPA1793 Features Low on-state resistance N-channel RDS(on)1 =69 m MAX. (VGS =10 V, ID =1.5 A) RDS(on)2 =72 m MAX. (VGS =4.0 V, ID =1.5 A) RDS(on)3 = 107 m MAX. (VGS =2.5 V, ID =1.0 A) P-channel RDS(on)1 = 115 m MAX. (VGS =-4.5 V, ID =-1.5A) RDS(on)2 = 120 m MAX. (VGS =-4.0V, ID =-1.5 A) RDS(on)3 = 190 m MAX. (VGS =-2.5V, ID =-1.0 A)
kpa1716.pdf
SMD Type SMD Type SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC Product specification KPA1716 Features Low on-state resistance RDS(on)1 = 12.5 m TYP. (VGS =-10 V, ID =-4 A) RDS(on)2 =17 m TYP. (VGS =-4.5 V, ID =-4A) RDS(on)3 =19 m TYP. (VGS = -4.01 V, ID =-4 A) Low Ciss Ciss = 2100 pF TYP. Built-in G-S protection diode Small and surface mount package
kpa1758.pdf
SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type MOSFET SMD Type SMD Type IC Product specification KPA1758 Features Dual MOS FET chips in small package 2.5 V gate drive type low on-state resistance RDS(on)1 =30 m (MAX.) (VGS =4.5 V, ID =3.0 A) RDS(on)2 =40 m (MAX.) (VGS =2.5 V, ID =3.0 A) 1 Sou
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