KPA1816 Todos los transistores

 

KPA1816 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KPA1816

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 132 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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KPA1816 datasheet

 ..1. Size:135K  tysemi
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KPA1816

SMD Type SMD Type SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC Product specification KPA1816 TSSOP-8 Features Unit mm 1.8V drive available Low on-state resistance RDS(on)1 =15 m TYP. (VGS =-4.5V, ID =-4.5A) RDS(on)2 =16 m TYP. (VGS =-4.0V, ID =-4.5A) RDS(on)3 = 22.5 m TYP. (VGS =-2.5 V, ID =-4.5A) 1, 2, 3 Source RDS(on)4 = 41.5 m TYP. (VGS =-1.8 V

 9.1. Size:122K  tysemi
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KPA1816

SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC Product specification KPA1871 Features TSSOP-8 Unit mm Can be driven by a 2.5-V power source Low on-state resistance RDS(on)1 =26 m TYP. (VGS =4.5 V, ID =3.0 A) RDS(on)2 =27 m TYP. (VGS =4.0 V, ID =3.0 A) RDS(on)3 =38 m TYP. (VGS =2.5 V, ID =3.0 A) Built-in G-S protection diode against ESD 5 Gate2 1 Dra

 9.2. Size:141K  tysemi
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KPA1816

SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC Product specification KPA1873 TSSOP-8 Features Unit mm 2.5 V drive available Low on-state resistance RDS(on)1 =23 m TYP. (VGS =4.5 V, ID =3.0 A) RDS(on)2 =24 m TYP. (VGS =4.0 V, ID =3.0 A) RDS(on)3 =28 m TYP. (VGS =3.1 V, ID =3.0 A) 5 Gate2 1 Drain1 RD

 9.3. Size:54K  kexin
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KPA1816

SMD Type IC SMD Type IC MOS Field Effect Transistor KPA1890 Features TSSOP-8 Unit mm Can be driven by a 4.0-V power source Low on-state resistance N-channel RDS(on)1 =27 m MAX. (VGS =10 V, ID =3.0 A) RDS(on)2 =37 m MAX. (VGS =4.5 V, ID =3.0 A) RDS(on)3 =47 m MAX. (VGS =4.0 V, ID =3 A) P-channel RDS(on)1 =37m MAX. (VGS =-10 V, ID =-2.5 A) RDS(on)2 =56 m MAX. (VGS =-4.5V, ID =-2.5 A

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