KPA1871 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KPA1871
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP-8
Búsqueda de reemplazo de KPA1871 MOSFET
KPA1871 Datasheet (PDF)
kpa1871.pdf

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICProduct specificationKPA1871FeaturesTSSOP-8Unit: mmCan be driven by a 2.5-V power sourceLow on-state resistanceRDS(on)1 =26 m TYP. (VGS =4.5 V, ID =3.0 A)RDS(on)2 =27 m TYP. (VGS =4.0 V, ID =3.0 A)RDS(on)3 =38 m TYP. (VGS =2.5 V, ID =3.0 A)Built-in G-S protection diode against ESD5: Gate21: Dra
kpa1873.pdf

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICProduct specificationKPA1873TSSOP-8FeaturesUnit: mm2.5 V drive availableLow on-state resistanceRDS(on)1 =23 m TYP. (VGS =4.5 V, ID =3.0 A)RDS(on)2 =24 m TYP. (VGS =4.0 V, ID =3.0 A)RDS(on)3 =28 m TYP. (VGS =3.1 V, ID =3.0 A)5: Gate21: Drain1RD
kpa1816.pdf

SMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICProduct specificationKPA1816TSSOP-8Features Unit: mm1.8V drive availableLow on-state resistanceRDS(on)1 =15 m TYP. (VGS =-4.5V, ID =-4.5A)RDS(on)2 =16 m TYP. (VGS =-4.0V, ID =-4.5A)RDS(on)3 = 22.5 m TYP. (VGS =-2.5 V, ID =-4.5A)1, 2, 3 : SourceRDS(on)4 = 41.5 m TYP. (VGS =-1.8 V
kpa1890.pdf

SMD Type ICSMD Type ICMOS Field Effect TransistorKPA1890FeaturesTSSOP-8Unit: mmCan be driven by a 4.0-V power sourceLow on-state resistanceN-channel RDS(on)1 =27 m MAX. (VGS =10 V, ID =3.0 A)RDS(on)2 =37 m MAX. (VGS =4.5 V, ID =3.0 A)RDS(on)3 =47 m MAX. (VGS =4.0 V, ID =3 A)P-channel RDS(on)1 =37m MAX. (VGS =-10 V, ID =-2.5 A)RDS(on)2 =56 m MAX. (VGS =-4.5V, ID =-2.5 A
Otros transistores... KPA1716 , KPA1750 , KPA1758 , KPA1764 , KPA1790 , KPA1792 , KPA1793 , KPA1816 , IRFZ48N , KPA1873 , KPA1890 , KPA2790GR , KPCF8402 , KQB12P20 , KQB27P06 , KQB2N30 , KQB2N50 .
History: IPB015N08N5 | UTC654 | AM30N08-80D | SVF13N50S
History: IPB015N08N5 | UTC654 | AM30N08-80D | SVF13N50S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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