KPA1873 Todos los transistores

 

KPA1873 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KPA1873
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 310 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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KPA1873 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  tysemi
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KPA1873

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICProduct specificationKPA1873TSSOP-8FeaturesUnit: mm2.5 V drive availableLow on-state resistanceRDS(on)1 =23 m TYP. (VGS =4.5 V, ID =3.0 A)RDS(on)2 =24 m TYP. (VGS =4.0 V, ID =3.0 A)RDS(on)3 =28 m TYP. (VGS =3.1 V, ID =3.0 A)5: Gate21: Drain1RD

 8.1. Size:122K  tysemi
kpa1871.pdf pdf_icon

KPA1873

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICProduct specificationKPA1871FeaturesTSSOP-8Unit: mmCan be driven by a 2.5-V power sourceLow on-state resistanceRDS(on)1 =26 m TYP. (VGS =4.5 V, ID =3.0 A)RDS(on)2 =27 m TYP. (VGS =4.0 V, ID =3.0 A)RDS(on)3 =38 m TYP. (VGS =2.5 V, ID =3.0 A)Built-in G-S protection diode against ESD5: Gate21: Dra

 9.1. Size:135K  tysemi
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KPA1873

SMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICProduct specificationKPA1816TSSOP-8Features Unit: mm1.8V drive availableLow on-state resistanceRDS(on)1 =15 m TYP. (VGS =-4.5V, ID =-4.5A)RDS(on)2 =16 m TYP. (VGS =-4.0V, ID =-4.5A)RDS(on)3 = 22.5 m TYP. (VGS =-2.5 V, ID =-4.5A)1, 2, 3 : SourceRDS(on)4 = 41.5 m TYP. (VGS =-1.8 V

 9.2. Size:54K  kexin
kpa1890.pdf pdf_icon

KPA1873

SMD Type ICSMD Type ICMOS Field Effect TransistorKPA1890FeaturesTSSOP-8Unit: mmCan be driven by a 4.0-V power sourceLow on-state resistanceN-channel RDS(on)1 =27 m MAX. (VGS =10 V, ID =3.0 A)RDS(on)2 =37 m MAX. (VGS =4.5 V, ID =3.0 A)RDS(on)3 =47 m MAX. (VGS =4.0 V, ID =3 A)P-channel RDS(on)1 =37m MAX. (VGS =-10 V, ID =-2.5 A)RDS(on)2 =56 m MAX. (VGS =-4.5V, ID =-2.5 A

Otros transistores... KPA1750 , KPA1758 , KPA1764 , KPA1790 , KPA1792 , KPA1793 , KPA1816 , KPA1871 , NCEP15T14 , KPA1890 , KPA2790GR , KPCF8402 , KQB12P20 , KQB27P06 , KQB2N30 , KQB2N50 , KQB2N60 .

History: APQ08SN50BF | SLF60R080SS | NTMFD4C20N | 2SK947 | 2SK241 | SRC65R1K3ES | RHU003N03

 

 
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