KRF7104 Todos los transistores

 

KRF7104 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KRF7104
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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KRF7104 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  tysemi
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KRF7104

Product specificationKRF7104FeaturesAdavanced Process TechnologyUltra Low On-ResistanceDual P-Channel MOSFETSurface MountAvailable in Tape & ReelDynamic dv/dt Rating1: Source 13: Source 2Fast Switching2: Gate 1 4: Gate 27,8: Drain 1 5,6: Drain 2Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitContinuous Drain Current, VGS @10V@Ta =25 ID -2.3Continuou

 8.1. Size:65K  renesas
 krf7105.pdf pdf_icon

KRF7104

SMD Type ICSMD Type ICHEXFET Power MOSFETKRF7105FeaturesAdvanced Process TechnologyUltra Low On-ResistanceDual N and P Channel MosfetSurface MountAvailable in Tape & ReelDynamic dv/dt RatingFast SwitchingAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitContinuous Drain Current VGS @ 10V Ta =25 ID 3.5 -2.3Continuous Drain Current VGS @ 10V Ta

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History: STL65N3LLH5 | BUK9Y59-60E

 

 
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