KRF7205 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KRF7205
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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KRF7205 datasheet
krf7205.pdf
SMD Type IC SMD Type MOSFET HEXFET Power MOSFET KRF7205(IRF7205) Features Adavanced Process Technology Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Continuous Drain Current, VGS @ 10V @ TA =25 ID -4.6 Continuous Drain Current, VGS @ 10V @ TA =70 ID -3.7 A Pulsed Drain Curre
krf7204.pdf
SMD Type IC SMD Type IC HEXFET Power MOSFET KRF7204 Features Adavanced Process Technology Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Continuous Drain Current, VGS @ 10V @ TA =25 ID -5.3 Continuous Drain Current, VGS @ 10V @ TA =70 ID -4.2 A Pulse
krf7220.pdf
SMD Type IC SMD Type IC HEXFET Power MOSFET KRF7220 Features Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain- Source Voltage VDS -14 V Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V @ Ta =25 ID 11 A Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V @ Ta =70 ID 8.8 Pulsed Drain Current *1 IDM 88 Power
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