KRF7506 Todos los transistores

 

KRF7506 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KRF7506
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICRO8
 

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KRF7506 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  kexin
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KRF7506

SMD Type ICSMD Type ICHEXFET Power MOSFETKRF7506FeaturesGeneration V TechnologyUltra Low On-ResistanceDual P-Channel MOSFETVery Small SOIC PackageLow Profile ( 1.1mm)Available in Tape & ReelFast SwitchingAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitContinuous Drain Current, VGS @-10V@TA =25 ID -1.7Continuous Drain Current, VGS @-10V@TA =70 ID -1.4 A

 8.1. Size:83K  kexin
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KRF7506

SMD Type ICSMD Type ICHEXFET Power MOSFETKRF7501FeaturesGeneration V TechnologyUlrtra Low On-ResistanceDual N-Channel MOSFETVery Small SOIC PackageLow Profile ( 1.1mm)Available in Tape & ReelFast SwitchingAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage VDS 20 AContinuous Drain Current, VGS @ 10V,Ta = 25 ID 2.4Continuous Drain Curr

 8.2. Size:83K  kexin
 krf7507.pdf pdf_icon

KRF7506

SMD Type ICSMD Type ICHEXFET Power MOSFETKRF7507FeaturesGeneration V TechnologyUltra Low On-ResistanceDual N and P Channel MOSFETVery Small SOIC PackageLow Profile (

 8.3. Size:83K  kexin
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KRF7506

SMD Type ICSMD Type ICHEXFET Power MOSFETKRF7509FeaturesGeneration V TechnologyUltra Low On-ResistanceDual N and P Channel MOSFETVery Small SOIC PackageLow Profile (

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History: B20N15D | 15N10 | IRF8736TR | AP10TN030M | STQ2HNK60Z-AP | ME8205E | CSD87335Q3D

 

 
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