KRF7506 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

KRF7506 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KRF7506

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm

Encapsulados: MICRO8

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KRF7506 datasheet

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krf7506.pdf pdf_icon

SMD Type IC SMD Type IC HEXFET Power MOSFET KRF7506 Features Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Dual P-Channel MOSFET Very Small SOIC Package Low Profile ( 1.1mm) Available in Tape & Reel Fast Switching Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Continuous Drain Current, VGS @-10V@TA =25 ID -1.7 Continuous Drain Current, VGS @-10V@TA =70 ID -1.4 A

8.1. Size:83K kexin
krf7501.pdf pdf_icon

SMD Type IC SMD Type IC HEXFET Power MOSFET KRF7501 Features Generation V Technology Ulrtra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET Very Small SOIC Package Low Profile ( 1.1mm) Available in Tape & Reel Fast Switching Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 20 A Continuous Drain Current, VGS @ 10V,Ta = 25 ID 2.4 Continuous Drain Curr

8.2. Size:83K kexin
krf7507.pdf pdf_icon

SMD Type IC SMD Type IC HEXFET Power MOSFET KRF7507 Features Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Dual N and P Channel MOSFET Very Small SOIC Package Low Profile (

8.3. Size:83K kexin
krf7509.pdf pdf_icon

SMD Type IC SMD Type IC HEXFET Power MOSFET KRF7509 Features Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Dual N and P Channel MOSFET Very Small SOIC Package Low Profile (

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