KRF9610S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KRF9610S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KRF9610S

KRF9610S Datasheet (PDF)

..1. Size:73K kexin
krf9610s.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsHEXFET Power MOSFETKRF9610STO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.1Surface MountAvailable in Tape & ReelDynamic dv/dt RatingP-Channel+0.10.1max1.27-0.1Fast SwitchingSimple Drive Requirements0.81+0.1-0.12.541gate1Gate2.54+0.2 +0.2-0.2 +0.15.08-0.1 0.4-0.22drain2Drain3Sourcesource3Absolute Maxim

9.1. Size:75K kexin
krf9640s.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsHEXFET Power MOSFETKRF9640STO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2Surface Mount +0.11.27-0.1Available in Tape & ReelDynamic dv/dt RatingRepetitive Avalanche Rated+0.1P-Channel0.1max1.27-0.1Fast Switching0.81+0.1-0.1Ease of Paralleling2.541gate1Gate2.54+0.2 +0.2-0.2 +0.15.08-0.1 0.4-0.22drain2Drain3Sourcesour

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Liste

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