KSS138 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSS138
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de KSS138 MOSFET
KSS138 Datasheet (PDF)
kss138.pdf
SMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type MOSFETSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsProduct specificationKSS138SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesN-Channel SOT-2312+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11Gate1.Base2 Source2.Emitter3Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol
Otros transistores... KRFR9210 , KRFR9310 , KRLML0100 , KRLML2502 , KRLML6402 , KSO200P03S , KSP230 , KSP92 , STP80NF70 , KSS84 , KTD2005 , KTD2017 , KTHC5513 , KTHD3100C , KTK7132E , KTS1C1S250 , KTS3C3F30L .
History: NCE60P82A | NCEP40T11 | NCE01H11 | PSMN9R0-30LL | IPB200N25N3G | PTP10N80 | PHB4ND40E
History: NCE60P82A | NCEP40T11 | NCE01H11 | PSMN9R0-30LL | IPB200N25N3G | PTP10N80 | PHB4ND40E
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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