KUK109-50DL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KUK109-50DL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 50 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 26 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 75000 nS
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

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KUK109-50DL Datasheet (PDF)

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kuk109-50dl.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsPowerMOS transistor Logic level TOPFETKUK109-50DLTO-263FeaturesUnit: mmVertical power DMOS output stage4.57+0.2-0.2+0.1Low on-state resistance1.27-0.1Overload protection against over temperatureOverload protection against short circuit loadLatched overload protectionreset by input+0.10.1max5 V logic compatible input level 1.27-0

9.1. Size:64K kexin
kuk108-50dl.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsPowerMOS transistor Logic level TOPFETKUK108-50DLTO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2+0.1Vertical power DMOS output stage1.27-0.1Low on-state resistanceOverload protection against over temperatureOverload protection against short circuit load+0.10.1maxLatched overload protection reset by input1.27-0.15 V logic compatible input l

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Liste

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