KUK109-50DL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KUK109-50DL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 75000 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KUK109-50DL
KUK109-50DL Datasheet (PDF)
kuk109-50dl.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsPowerMOS transistor Logic level TOPFETKUK109-50DLTO-263FeaturesUnit: mmVertical power DMOS output stage4.57+0.2-0.2+0.1Low on-state resistance1.27-0.1Overload protection against over temperatureOverload protection against short circuit loadLatched overload protectionreset by input+0.10.1max5 V logic compatible input level 1.27-0
kuk108-50dl.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsPowerMOS transistor Logic level TOPFETKUK108-50DLTO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2+0.1Vertical power DMOS output stage1.27-0.1Low on-state resistanceOverload protection against over temperatureOverload protection against short circuit load+0.10.1maxLatched overload protection reset by input1.27-0.15 V logic compatible input l
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History: STSJ100NHS3LL
History: STSJ100NHS3LL
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